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氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一,而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
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改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈,來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一,在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…